Кремниевые ионно-имплантированные детекторы

Полупроводниковые детекторы для спектрометрии и радиометрии рентгеновского и гамма-излучения. Обеспечивают регистрацию излучения и используются в составе измерительных и дозиметрических приборов радиационного контроля.

Задать вопрос

Полное описание

Таблица 1 — Размерный ряд серийно выпускаемых кристаллов (топология 2025)

Площадь активной структуры, мм²	Размер активной области, мм	Размер кристалла, мм	Толщина пластины (Н), мкм	Конструкция входного окна (чувствительной области)
1	1х1	2,71х2,71	340–350	0.4мкм Al
0.38	Ø0,7	1х1		1,2 мкмAl
4	2х2	3,71х3,71	340–350	0.4мкм Al
4	2х2	3,71х3,71	1000	0.4мкм Al
25	5х5	6,71х6,71	340–350	0.4мкм Al
56	7х8	8,71х9,71	340–350	0.4мкм Al
100	10х10	11,71х11,71	340–350	0.4мкм Al
225	15х15	16,71х16,71	340–350	0.4мкм Al
484	22х22	23,71х23,71	340–350	0.4мкм Al
484	22х22	23,71х23,71	340–350	SiO2-100Å
1117	33,42х33.42	35,13х35,13	340–350	0.4мкм Al

Таблица 2 — Электрофизические характеристики детекторов

№ п/п	Наименование параметра Единица измерения	Размеры активной структуры детектора, мм
№ п/п	Наименование параметра Единица измерения	1x1	5x5	10x10	33,42x33,42
1	Напряжение полного обеднения, В, не более	50-60	50-60	50-60	50-60
2	Обратный ток диода при Uсм = 60 В и Т = 20°C, не более, нА ¹	2	50	200	2234